ساخت و بررسی خواص ضد باکتری لایه های نازک اکسید تنگستن

پایان نامه
چکیده

در این پایان نامه، ابتدا لایه های نازک wo3به روش تبخیر حرارتی با ضخامت nm200 روی لام آزمایشگاهی رشد داده شدند. سپس جهت ایجاد نانو ساختارهای اکسید تنگستن (wo3-x) ، نمونه ها در محیط هیدروژن خالص در دمای oc400 به مدت زمان های متفاوت از صفر تا 480 دقیقه احیاء گردیدند. خواص نوری لایه ها با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر (2700-200) مورد بررسی قرار گرفت، بر اساس تحلیل نتایج تحقیقات انجام شده مشخص گردید که با افزایش مدت زمان پخت در محیط هیدروژن به علت بلوری شدن لایه های نازک wo3-x ، انرژی گاف این لایه ها کاهش می یابد. به منظور بررسی مورفولوژی سطح نمونه ها، از آنالیز afm استفاده شد که برای نمونه سپرده شده به مدت 30 دقیقه، اندازه متوسط دانه ها در حدود 67 نانومتر اندازه گیری شد. طیف های xrd نشان داد که نمونه ها قبل از احیاء هیچ ساختار بلوری wo3-x ندارند و آمورف هستند اما بعد از احیاء فازهای بلوری مختلف wo3-x تشکیل می گردند که اندازه متوسط نانو بلورک های آنها از رابطه شرر در حدود 80 نانومتر بدست آمد. به وسیله آنالیزxps ترکیب شیمیایی سطح فیلم ها مشخصه یابی شد. بررسی ها نشان داد که نمونه ها آبدوست هستند و زاویه تماس میان قطره آب و سطح در محدوده 7 تا 26 درجه می باشد. سپس تغییر نسبی رسانایی الکتریکی نمونه ها اندازه گیری شد. نتایج نشان می دهد که با افزایش مدت زمان پخت، رسانایی الکتریکی لایه ها افزایش می یابد. در نهایت خاصیت فوتو کاتالیستی نمونه ها مورد بررسی قرارگرفت که نشان داد بهترین شرایط برای خاصیت فوتو کاتالیستی، پخت نمونه ها به مدت 30 دقیقه می باشد که 90 درصد باکتری ها را از بین می برد

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته­اند. همچنین این لایه­ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس ...

متن کامل

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

متن کامل

بررسی اثر مقدار نیتروژن بر خصوصیات ساختاری ، فازی و مورفولوژی سطح لایه های نازک نیترید تنگستن

لایه های نیترید تنگستن با ساختاری بلوری به روش تبخیر شیمیایی و در غلظتهای مختلفی از گاز نیتروژن در ترکیب گازی آرگون و نیتروژن تولید شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که غلظت نیتروژن در گاز ترکیبی تاثیر بسزایی روی ساختار، فازهای تشکیل شده، مورفولوژی سطح لایه ها و حتی اندازه دانه ها دارد. پراش اشعه ایکس، ساختار بلوری هگزاگونال WN را در نمونه های با غلظت کم نیتروژن )%10N2=، %30N2= و %50N2= (نشان می ...

متن کامل

الکترو ترسیب لایه های نازک اکسید تنگستن ونانو کامپوزیت اکسید تنگستن/نقره و مطالعه خواص الکتروکاتالیزی آنها

کار پژوهشی حاضر در دو بخش انجام شده است: در بخش اول اقدام به تهیه الکترود های کربن سرامیک اصلاح شده با اکسید تنگستن، نقره و کامپوزیت اکسیدتنگستن/ نقره با ولتامتری چرخه ای گردید، که مورفولوژی هر کدام از این الکترود ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (fesem) مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین از پراش پرتو ایکس(xrd) و پراکندگی انرژی پرتو ایکس (edx) به منظور پی بردن به نوع عناصر موجود د...

15 صفحه اول

بررسی الکترواپتیکی لایه‌های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

In this study, tungsten oxide and vanadium oxide electrochromic thin films were placed in vacuum and in a thickness of 200 nm on a transparent conductive substrate of SnO2:F using the physical method of thermal evaporation. Then they were studied for the optical characteristics in the wavelength range from 400 to 700 nm and for their electrical potentials in the range form +1.5 to -1.5 volts. T...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - پژوهشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023